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田纳西大学郝林博士、新加坡国立大学黄振研究员应邀来我院做学术报告

来源:澳门新萄京亚洲第一电子游戏 时间:2019-12-26   浏览:174

    本网讯(李亮)1224日上午,田纳西大学郝林博士、新加坡国立大学黄振研究员应邀来我院进行学术交流,分别做了题为“Hunting for spin-charge responses of antiferromagnetic fluctuations in pseudo-spin-half square-lattice”和“Exploring High Mobility Electron Gas and Novel Quantum Phenomena at the SrTiO3-based Interfaces”报告,报告会由我院量子材料与物理所所长单磊主持。

    会上,郝林博士就铱氧化物反铁磁物性操控展开报告。他介绍了通过调节SrTiO3间隔,可在人工分层的[(SrIrO3)1/(SrTiO3)m]异质结中,设计出Mott绝缘状态的反铁磁结构;当m=1时,由于电荷和纵向自旋涨落之间的强烈相互作用,交错磁场效应导致了一个有趣的正异常磁阻,从而实现了对反铁磁磁化率的探测;将反铁磁结构控制到m=2时的二维极限,在实验上首次观测到了一种隐藏的SU(2)对称,因此,虽然强烈的临界涨落显著降低了有序温度,但交错磁场效应允许只有千分之一的超交换相互作用的外场,极大地抑制了反铁磁涨落,进而实现了巨大的反铁磁序。

    黄振研究员就理解和操纵复杂氧化物界面关联电子体系,提高界面迁移率,展开了报告。他介绍了两种特殊SrTiO3基界面,一种是(La,Sr)(Al,Ta)O3/SrTiO3界面,该界面通过清晰的低磁场Shubnikov-de Haas振荡,展示了电子屏蔽在提高载流子迁移率(30000 cm2V-1s-1以上)的效果;另一种是新发现的Sr2AlTaO6/SrTiO3界面, 当载体密度降低到 3×1011 cm-2,其载流子迁移率可提高到180000 cm2V-1s-1。更重要的是,在低载流子密度Sr2AlTaO6/SrTiO3界面上观察到了非预期周期磁阻振荡,即B周期振荡。

会后,郝林博士、黄振研究员与在座师生就反铁磁调控、二维电子气等方面问题进行了讨论与交流。

                           

                                      (报告会现场  左:郝林;右:黄振)